мощные полупроводниковые приборы

СОДЕРЖАНИЕ 0 0.1 0.2 0.3 1 1.1 1.2 1.2.1 1.2.2 1.2.2.1 1.2.2.2 1.2.3 1.2.4 1.3 1.3.1.1 1.3.1.2 1.3.1.3 1.3.1.4 1.3.2 1.3.3 1.3.3.1 1.3.3.2 1.3.3.3 1.3.3.4 1.3.4 1.3.4.1 1.3.4.2 1.3.4.3 1.3.5 1.3.5.1 1.3.5.2 1.4 1.4.1 1.4.2 1.4.2.1 1.4.2.2 1.4.2.3 1.4.2.4 1.4.2.5 1.4.2.6 1.4.2.7 1.4.2.8 1.4.3 1.4.4 1.5 Принципы работы мощных полупроводниковых приборов Основы процесса переключения Принципы функционирования силовых полупроводниковых приборов Силовые электронные ключи Основы Области применения и ограничения в применении IGBT и MOSFET силовых модулей. Силовые IGBT и MOSFET Различие структур и функциональных принципов Статический режим Силовые MOSFET IGBT Режим жесткого переключения MOSFET и IGBT Улучшения в технологии MOSFET и IGBT Обратные и снабберные диоды Падение при прямом и обратном напряжении Режим включения Режим обратного восстановления Требования к обратным диодам, которые работают в режиме выпрямления и инвертирования в преобразователях напряжения Конструкция мощных быстрых диодов Параметры мощных быстрых диодов Прямой и обратный режимы Режим включения Режим выключения Динамическая устойчивость Современные диоды с улучшенным режимом восстановления Эмиттерная концепция Концепция управляемого аксиального времени жизни (CAL) Концепция гибридных диодов Последовательное и параллельное соединение мощных быстрых диодов Последовательное соединение Параллельное включение Силовые модули: специальные возможности многокристальных структур Конструкция силовых модулей Возможности силовых модулей Степень сложности Способность рассеивать тепло Напряжение изоляции / устойчивость к отдельным разрядам Способность периодически передавать мощность Внутренняя низкоиндуктивная структура Адаптация внутренней структуры к ЭМС Заданный мягкий режим в случае отказа модуля Не загрязняющая переработка Сборка и технология подключения: типы корпусов Система обозначений SEMIKRON для SEMITRANS и SEMITOP силовыхмодулей Примеры новых технологий корпусов 1.5.1 1.5.2 1.5.3 1.5.4 1.6 2 2.1 2.1.1 2.1.2 2.2 2.2.1 2.2.2 2.2.3 2.3 2.3.1 2.3.2 2.3.3 2.4 2.5 2.6 2.7 3 3.1 3.1.1 3.1.2 3.1.3 3.2 3.2.1 3.2.1.1 3.2.1.2 3.2.1.3 3.2.2 3.2.2.1 3.2.2.2 3.2.2.3 3.2.2.4 3.2.3 3.3 3.3.1 3.3.2 3.3.3 3.3.4 3.3.5 3.3.6 3.3.6.1 3.3.6.2 3.4 3.4.1 SKiiPPACK MiniSKiiP SEMITOP Новая низкоиндуктивная конструкция IGBT модуля для больших токов инапряжений Встроенные датчики, функции защиты, драйвера и логика Справочные данные по MOSFET, IGBT, MiniSKiiP и SKiiPPACK модуля Общие сведения Буквенные обозначения, термины, стандарты Максимальные значения и характеристики Силовые модули MOSFET Предельные значения Характеристики Диаграммы IGBT-модули Предельные значения Характеристики Диаграммы Специальные параметры для MiniSKiiP Специальные параметры для SKiiPPACK Температурная зависимость статических и динамических характеристик силовых модулей Надежность Рекомендации к применению Задание параметров и выбор MOSFET, IGBT и SKiiPPACK модулей Прямое запирающее напряжение Ток в прямом направлении Частота коммутации Температурные параметры Баланс потерь мощности Единичные и общие потери мощности Потери мощности в понижающем преобразователе Потери мощности в импульсном источнике напряжения инверторов/выпрямителей при синусоидальных токах Расчет температуры перехода Основные сведения Температура перехода при кратковременной работе Температура перехода при импульсной работе Температура перехода при гармонических основных частотах Определение температурных характеристик по отношению к сроку службы моду