травление кристаллов: теория, эксперимент, применение

Б Б К 24.5 С18 У ДК 548.3 Сангвал К. С18 Травление кристаллов: Теория, эксперимент, примене­ ние: Пер. с англ. — М.: Мир, 1990. — 492 с., ил. ISBN 5-03-001315-6 В книге сп ец и ал и ста и з П Н Р п одробно ра сс м а т р и в а ю тс я т а к и е вопросы , как х и м ия, т ео р и я р о с т а и р аств о р ен и я к р и ста л л о в, к р и ст а л л о гр а ф и я , д еф екты и их ан ал и з, т е о р и я р аств о р о в и др . В частности, п р о ан али зи рован ы м ехани зм ы з а ­ р о ж д е н и я с учетом поверхностной и объем н ой ди ф ф узи и , элек трон н ого ф акто р а, о б р а зо в ан и е ф и гур т р а вл ен и я и м орф ология бугорков и ям ок. П риведен ы реко­ м ен дац и и по п оли рую щ ем у и сел екти вн ом у травлен и ю разл и ч н ы х м атер и ал о в. Д л я сп ец иалистов в о б л асти ф и зи ки тверд ого т е л а , ф и зи ческой химии, кр и ­ стал л о гр аф и и , м е тал л у р ги и , м а тер и ал о вед ен и я, эл ектрон ики и в см еж н ы х обла* стях , а т а к ж е студен тов и асп и ран тов соответствую щ их сп ец иальн остей. ^ 16 0 4 110000— 17 1 /ти \ пл 52— 90 Н аучн ое и зд ан и е К еш ра С ан гв ал Т Р А В Л Е Н И Е К РИ С Т А Л Л О В Т еория, эксперим ен т, применение З а в . р ед ак ц и ей П ропой В. И . C r. н аучны й р е д а к то р П арш ин а Л . А. М л. научны й р е д а к т о р И ван ова Ю. В. Х удож ни к З а х а р о в А. В. Х удож ествен ны й р е д а к т о р И ван о в Η. М. Т ехнический р е д а к то р К рен дел ева И . М. К орректор П ан ов а Л . Д . И Б No 7119 С д ан о в н абор 23.10.89. П о дп и сан о к печати гр а ф с к а я № I имп. П е ч а ть в ы со к ая . Г ар н и тура печ. л. 31,0. Уел. кр.-о тт. 31,0. У ч.-изд. л. З а к 1395. Ц ена 1.03.90, Ф орм ат 60X90Vie. Б у м а га типо­ Л и т ер а т у р н а я . О бъем 15,50 бум. л. Уел. 30,76. И зд . К? 7/6548. Т и р а ж 3500 экз. 3 р. 10 к. И зд а т е л ь ст в о « М И Р » . 129820, ГСП, М осква, И-110, 1-й Р и ж ск и й пер., 2. М о ско в ская ти п о гр аф и я № И Г о сударствен ного ком и тета С ССР М осква, Н а га ти н ск а я ул., д. I. по п ечати . 113105, Р е д а к ц и я литературы по н о в о й технике и ко см ическим и с сл ед о ва н и я м И зд ан и е осущ ествлено за счет средств Н аучн о-п рои звод ствен н ого объ ед инения «ЭЛ М А » IS B N 5-03-001315-6 (р у с с к .) © IS B N 0-444-87018-0 (а н г л .) © E lsev ie r Science P u b lish e rs В. V., 1987 перевод на русский язы к, Б ы ­ стрицкий А. В„ М ар к о в а Т. И., 1990 ПРЕДИСЛОВИЕ ПЕРЕВОДЧИКОВ З а последние два-три десятилетия произошел качественный переход от теоретических исследований к практическому исполь­ зованию большого числа новых полупроводниковых материалов. Удалось разрешить многие технологические вопросы, связанные с получением объемных монокристаллов, тонких и сверхтонких авто- и гетероэпитаксиальных слоев и созданием сложнейших приборных и схемных структур. Д ля решения указанных проб­ лем широко применялись методы травления. Эти методы исполь­ зовались на отдельных этапах технологического процесса про­ изводства материалов и структур. Кроме того, они служи