теория многоэлектронных эффектов в атомных процессах


E-Book Content

                                  ! " # $$ %  !& ' (   #)*+, # $ *$ %#+$ ! - .    # $$)   / # $$ 010 0 +%  2  0#            "  3%  4  560 "  3%  ! 7+3$ $ "" 8  + $0 6 2  0# "       !!   " #  $!   "      '    7+&$#9 0  3 0##0  + ' : %3  +$ ! 0 & $0$$$$$ '" ;#0 +&  + '' $)+) $30$ '- . & 977 0 )5 3 0  0 &) 0 9 #  $0  6 '? . &) 0 9 #   6 '@ :#9 0  977 00 $ '  9 0 7+& 0$3& '   7+&+3%  $ '  + $) 85 58 0.7 а.е., с ростом q перемещается по направлению к более высоким энергиям. Вторая группа максимумов при ω max ≅ 7.5 Ry, не меняющих положение с ростом q, появляется на пороге ионизации 3d оболочки Kr. Высота этих максимумов монотонно возрастает с ростом q вплоть до q = 1.9 а.е., так как радиус этой оболочки меньше чем радиус 4р оболочки. Заметим, что с ростом q монопольные ОСО наружной 4р6 оболочки превращается в мощный и симметричный резонанс. На рис. 6.3а, 6.4а, и 6.6а показывает поведение монопольных ОСО в Ne, Ar и Xe. 156 Интересно изменение отношения ОСО, найденных в ПСФО и ХФ приближениях, η 4 p − εd , s (ω, q ) = F4 p − εd , s (ω, q ) f 4 p − εd , s (ω, q ) , показанное на рис. 6.7. Вариация этого отношения от 0.4 до 2.0 с изменением ω подтверждает сильное влияние многоэлектронных корреляций, а именно, гигантского резонанса в переходе 3d→ ε f. Рис.6.5б показывает изменение дипольных ОСО в Kr как функции ω и q. Они характеризуются двумя группами максимумов, возникающих на порогах ионизации 4р и 3d оболочек. Эти максимумы монотонно уменьшаются с ростом q. На рис. 6.3б, 6.4б, и 6.6б показывает поведение дипольных ОСО в Ne, Ar и Xe. В качестве примера квадрупольных ОСО рассмотрим результаты расчета для Хе, приведенных на Рис.6.6в. Анализ результатов демонстрирует, что их зависимость от q при малых переданных импульсах такая же, как и для монопольных ОСО. С ростом q они сначала быстро растут как q2, а затем, достигнув максимума при q max,n ~ 1 , rn начинают уменьшаться. ОСО в Хе характеризуются тремя группами максимумов для всех рассматриваемых значений q. В первой группе максимумы быстро возрастают с ростом q вплоть до q =1.1 а.е., после чего они начинают убывать с дальнейшим ростом q. Положение максимума перемещается от 1.3 Ry при q=0.1 a.е. к 2.0 Ry при q=1.9 а.е. У второй группы максимум, соответствующий ω max ≈ 2.9 Ry при q=0.3 а.е., перемещается к ω max ≈ 5.7 Ry при q=1.9 a.е. В третьей группе максимумы растут монотонно по амплитуде с ростом q и перемещаются от ω max ≈ 11 Ry при q=0.3 а.е. до ω max ≈ 14.8 Ry при q=1.9 а.е. И опять, как и в дипольных ОСО для Kr, возникает с ростом q мощный резонанс при больших переданных энергиях ω. На рис. 6.3в, 6.4в, и 6.5в показано поведение монопольных ОСО в Ne, Ar и Kr. Обобщая приведенные результаты для ОСО благородных газов, отметим, что с ростом q относительная роль корреляций, особенно межоболочеч
You might also like

Abstract State Machines: A Method For High-level System Design And Analysis
Authors: Egon Boerger , Robert Staerk    201    0


Mechanical Engineer's Handbook
Authors: Dan B. Marghitu , J. David Irwin    177    0


Lessons In Electric Circuits 4 - Digital
Authors: Tony Kuphaldt    153    0


Electrical Engineering Dictionary A-k
Authors: Laplante P.A. (ed.)    170    0


Electrical Engineering Dictionary L-q
Authors: Laplante P.A. (ed.)    159    0


Tunable External Cavity Diode Lasers
Authors: Cunyun Ye    193    0


Abstract And Concrete Categories: The Joy Of Cats
Authors: Jiri Adamek , Horst Herrlich , George E. Strecker    200    0


Nanophysics: Coherence And Transport, école D'été De Physique Des Houches Session Lxxxi
Authors: H. Bouchiat , Y. Gefen , S. Guéron , G. Montambaux and J. Dalibard (Eds.)    142    0



Il-5 Receptor
Authors: Bagley Ch.J. , Tavernier J. , Woodcock J.M.    214    0