E-Book Content
Министерство образования и науки Российской Федерации Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники» (ТУСУР) Кафедра радиоэлектронных технологий и экологического мониторинга (РЭТЭМ) УТВЕРЖДАЮ Заведующий каф. РЭТЭМ ________________ В.И. Туев «____»_____________ 2017 г. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ Методические указания по самостоятельной работе работе магистрантов для направления подготовки 11.04.03– Конструирование и технология электронных средств, Доцент каф. РЭТЭМ ___________ В.С. Солдаткин Магистрант каф. ЭП ___________ В.С. Каменкова Томск 2017 Солдаткин В.С., Каменкова В.С.. Полупроводниковые наногетероструктуры: Методические указания по самостоятельной работе студентов. – Томск: Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, 2017. – 13с. Настоящее методическое указание по самостоятельной работе студентов составлены с учетом образовательного направлению требований стандарта подготовки Федерального высшего 11.04.03 образования Государственного (ФГОС «Конструирование и ВО) по технология электронных средств. Методическое указание по самостоятельной работе предназначено для магистрантов, изучающих специальные дисциплины «Полупроводниковые наногетероструктуры» и содержит список тем, отводимых на самостоятельное изучение. В изучении материалов данных методических указаний, магистранты должны расширить свои знания по изучаемым дисциплинам, а также данное методическое указание направлено на формирования у магистрантов следующих знаний, умений и навыков: знать методы изготовления и контроля основных параметров полупроводниковых наногетероструктур мировые достижения в данной области; уметь контролировать и анализировать основные электрические, оптические и механические параметры полупроводниковых наногетероструктур владеть навыками полупроводниковых контроля и анализа наногетероструктур, основных сопоставления параметров параметров с мировым достижениями в данной области и оценку применимости в технологическом процессе изготовления светодиодов на их основе. 2 светодиодных кристаллов и Оглавление 1. ПЕРЕЧЕНЬ ТЕМ ТЕОРЕТИЧЕСКОЙ ЧАСТИ КУРСА, ОТВОДИМЫХ НА САМОСТОЯТЕЛЬНУЮ ПРОРАБОТКУ........................... 4 1.1 Полупроводниковые материалы ....................................................... 4 1.2 Методы изготовления полупроводниковых наногетероструктур .. 6 1.3 Контроль параметров полупроводниковых наногетероструктур ... 8 2. ПРАВИЛА НАПИСАНИЯ КОНСПЕКТА САМОПОДГОТОВКИ ... 10 3. СПИСОК РЕКОМЕНДУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ ................................. 12 3 1. ПЕРЕЧЕНЬ ТЕМ ТЕОРЕТИЧЕСКОЙ ЧАСТИ КУРСА, ОТВОДИМЫХ НА САМОСТОЯТЕЛЬНУЮ ПРОРАБОТКУ 1.1 Полупроводниковые материалы Полупроводниковыми материалами называются веществава с четко проявляющимися свойствами полупроводников в больших интервалах температур, в том числе комнатной (~ 300 К), являющийся базой для создания полупроводниковых устройств. Удельная электрическая проводимость при 300 К составляет 104-10~10 Ом-1·см-1 и возрастает с увеличением температур. Для полупроводниковых материалов характерна высокая чувствительность электрофизических. свойств к внешним воздействиям (нагрев, облучение, деформации и и т.д.), а также к содержанию структурных дефектов и примесей. Полупроводниковые мат