технологии микроэлектроники. химическое осаждение из газовой фазы

Preparing link to download Please wait... Download

E-Book Overview

Проведена классификация процессов и оборудования химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ), используемых в технологии производства интегральных микросхем (ИМС), и показаны тенденции их развития. Приведены основные характеристики элементов микроструктур ИМС, получаемых в процессах ХОГФ, а также технологические характеристики самих процессов и используемых реагентов. Рассмотрены параметры оборудования для реализации процессов ХОГФ и проведен анализ его возможностей, достоинств и недостатков при осаждении Функциональных слоев микросхем. Приведены основные электрофизические характеристики осаждаемых пленок.Для инженеров-технологов и научных работников, использующих в своей практической работе химическое осаждение пленок из газовой фазы. Книга может быть полезна также студентам старших курсов, аспирантам и преподавателям вузов.

---

E-Book Information

• Series: Мир электроники

• Year: 2,006

• Pages: 192

• Pages In File: 193

• Language: Russian

• Topic: 250

• Library: www.infanata.com

• Issue: 2010-11-2011-04

• Identifier: 5-94836-039-3

• Commentary: 1146137476-

• Org File Size: 4,327,922

• Extension: pdf