распределение железа имплантированного в кремний при действии мощного ионного пучка и лазерного излучения [DOC]

Preparing link to download Please wait... Attached file not found

E-Book Overview

Литературный перевод. Iron distribution in the implanted silicon under the action of high-power pulsed ion and laser beams. Elseiver. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 240 (2005) 224–228В данной статье представлены результаты по исследованию фазового состава, микроструктуры и распределения легирующего элемента по глубине в кремнии легированном ионами железа и отожженном с использованием ионного пучка и лазера. Данные рентгеновской дифракции указывают переход фазы FeSi→β-FeSi2 с увеличением плотности энергии импульса. После ионной имплантации и импульсной обработки, кремниевые слои получили клеточную структуру, которая связана с низкой растворимостью железа в кремнии. В зависимости от концентрации атомов железа имеет место сегрегация примеси к поверхности или распространению в кремний. Эта зависимость объясняется быстрым распространением железа в жидком кремнии и увеличении коэффициента распределения примеси при увеличении ее концентрации. Результаты компьютерного моделирования хорошо согласуются с экспериментальными данными относительно распределения железа по глубине и дают коэффициент сегрегации близко к 1 при самой высокой концентрации примеси.

---

E-Book Information

• Language: Russian

• Topic: 220

• Library: twirpx

• Commentary: 1,273,798

• Org File Size: 244,736

• Extension: doc

• Tags: Машиностроение и материалообработка Высокоэнергетические методы обработки